جستجو برای یافتن چشمه های انرژی تجدید پذیر تبدیل به چالش مهمی در پیش روی محققان شده است. در سالهای اخیر ترموالکتریسیته به عنوان یک مولد انرژی الکتریکی پاک و سبز شناخته شده است. پدیدهای ترموالکتریک در رژیم غیرخطی حوزه جدیدی در تحقیقات را تشکیل می دهند که پیش بینی می شود کارآیی ترموالکتریک را افزایش بدهند. به نظر می رسد مواد ترموالکتریک ارگانیک (TM) به دلیل دارا بودن ویژگی های خاص خود، فرصت منحصر به فردی را در توسعه مواد ترموالکتریک تجزیه پذیر زیستی، انعطاف پذیر و هوشمند فراهم می کنند. در این مطالعه، ترموالکتریک غیرخطی مبتنی برنانوملکول دی. ان. آ را توصیف می کنیم. مشاهده می شود که با استفاده از اختلاف دما بین منبع و گیرنده، جریان الکتریسیته محسوسی تولید می شود. با تنظیم اختلاف دما، پدیده مقاومت دیفرانسیلی ترموالکتریک منفی (NDTER) را می توان به دست آورد. NDTER به پدیده ای اشاره دارد که در آن جریان الکتریکی با افزایش اختلاف دما کاهش می یابد. علاوه بر این، با تنظیم تفاوت دما بین مخازن سرد و گرم و تغییر درجه حرارت مخزن داغ، جریانهای بار برای جهت در دو جهت متضاد Δ T متفاوت است. این چیزی است که یکسوساز ترموالکتریک نامیده می شود.

با آنکه سبک هندی در ظاهر غیرسیاسی ترین دوره شعری در ادبیات ایران است، اما در باطن، بسیاری از خصوصیات اصلی آن در واکنش به سیاست های فرهنگی دوره صفویه به وجود آمده است. پیچیدگی صور خیال و خصیصه استدلال آوری، نوعی واکنش به عوام زدگی و سطحی نگری هاست و مضمون یابی ها و دگراندیشی ها و بی اعتنایی به سنت ها و سیاست ها و ایدئولوژی ها نیز عکس العملی است در برابر محدودیت ها و ممنوعیت های سیاسی و فرهنگی که در مجموع، دنیایی کاملا متفاوت از واقعیت های موجود در جامعه به وجود می آورد.

نیاز به افزاره­های عمل­کننده در دمای اتاق و آشکارسازهای تابش در محدوده تراهرتز (10-0/2) وجود دارد. این نیاز توسط پیشرفت­های سریع علوم و فناوری­های تراهرتز در گستره­ای از نجوم تا زیست امنیتی ایجاد می­شود. با توسعه برآرائی پرتو مولکولی (MBE) رشد ابرشبکه­های نیم­رسانا از مرتبه­ی°A 102 انجام می ­شود. این ثابت شبکه بزرگ بوده  و می­تواند رفتارهای غیراهمی میدان بالا را آشکار کند. اثر رسانندگی دیفرانسیلی منفی (NDC) از تعداد زیادی الکترون در لبه مرز ریز نوار ناشی می­شود. با نزدیک شدن الکترون­ها به مرز ریز نوار سرعت آن­ها کاهش یافته و باعث اثر (NDC) می­شود. در این مقاله، NDC در ابر شبکه های نیم­رسانا برای پتانسیل های سینوسی و دوره ای چاه مربعی بررسی شد. سرعت های سوق حامل استخراج شده در یک ابرشبکه به ترتیب در حدود 1.8x105 m/s و 2.6x105 m/s و نسبت بیشینه سرعت سوق به کمینه متناظر در هر دو پتانسیل بیش از 3 به دست آمد. همچنین، NDC در ابر شبکه­های نیم­رسانا برای معادلات پاشندگی سهموی و سینوسی در فرکانس­های مختلف مطالعه شد. در معادله پاشندگی سهموی، نزدیک نوسانات هارمونیک بلاخ در فرکانس­های بین نوسان­های زوج و فرد هارمونیک، NDC فرکانس بالا مشاهده شد.

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (pdf) مراجعه فرمایید.

مقدمه: استافیلوکوک کواگولاز منفی شایعترین میکروارگانیزمی است که در کشت های خون یافت می شود. تشخیص دقیق و آنتی بیوگرام این باکتری ارزش زیادی در درمان سپتی سمی های ناشی از این باکتری ایفا می کند. هدف از این مطالعه ارزیابی حساسیت و مقاومت استافیلوکوک کواگولاز منفی جدا شده از کشت های خون کودکان بود.مواد و روشها: 270 نمونه کشت خون مثبت استافیلوکوک کواگولاز منفی در طی 2 سال (83-1382) در مرکز پزشکی کودکان با روش های استاندارد آزمایشگاهی انتخاب و برای ارزیابی الگوی مقاومت دارویی از تکنیک دیفیوژن آگار (کریبی ـ بوئر) استفاده شد.یافته ها: در این مطالعه 4/54% از بیماران مذکر و 6/45% مونث بودند. میانگین جمعیت مورد مطالعه 10 ماه و حداقل سن یک روز و حداکثر 10 سال بودند. از 270 مورد کشت خون مثبت استافیلوکوک کواگولاز منفی 213 مورد ( 9/78%) عفونت واقعی و تعداد 57 مورد (1/21%) آلودگی خارجی بود. نتایج حاصل از آنتی بیوگرام نشان داد که استافیلوکوک های کواگولاز منفی نسبت به پنی سیلین 1/98%، آمپی سیلین 9/95%، سفالکسین 3/62%، سفتی زوکیسم 9/55%، سفتریاکسون 7/53% و وانکومایسین 6/2% مقاوم هستند.بحث و نتیجه گیری: الگوی حساسیت و مقاومت دارویی استافیلوکوک کواگولاز منفی غیر قابل پیش بینی و مقاومت چندگانه به آن شایع است. وانکومایسین داروی انتخابی درمان سپتی سمی می باشد زیرا فقط (6/2%) موارد به آن مقاوم بودند.

اهداف: پیزوفوتوترونیک دانش نو‎ظهوری است که در سال ‎های اخیر توجه محققان زیادی را به خود جلب کرده است. این پدیده مبتنی بر تاثیر همزمان تابش نور و تنش مکانیکی بر ترابرد الکتریکی مواد نیمه ‎رساناست. در این کار، پدیده پیزوفوتوترونیک در زنجیره ‎های زیستی DNA مطالعه می ‎شود. با بررسی همزمان این دو محرک خارجی می‎توان بهترین شرایط را برای عبور جریان الکتریکی از توالی ‎های DNA بدست آورد و از آن برای طراحی آشکار‎سازهای اپتیکی و پیزوالکتریکی (پیزوفوتوترونیکی) استفاده کرد. مواد و روش ها: در این کار، با مطالعه همزمان اثر تنش مکانیکی و نور تابشی به بررسی جریان عبوری از توالی ‎های مختلف DNA می پردازیم. ما از هامیلتونی مدل پیرارد، بیشاپ و داکسیوس(PBD) که با اثرات میدان الکتریکی نور تابشی توسط لیزر و تنش مکانیکی ناشی از یک نیروی خارجی تصحیح شده است، استفاده می‎کنیم. سپس با بدست آوردن معادلات تحول سیستم و محاسبه جریان الکتریکی عبوری از توالی مدنظر، ترابرد الکتریکی سیستم را مطالعه می‎کنیم. یافته‏ ها: نتایج نشان می‎دهند که با تغییرات ولتاژ نواحی شبه‎اهمی در نمودار مشخصه جریان-ولتاژ مشاهده می شود که برای طراحی یک ابزار الکتریکی رایج می‎تواند مورد استفاده قرار گیرد. سپس با افزایش ولتاژ، شیب نمودار مشخصه جریان-ولتاژ به منفی تغییر می‎کند، به عبارتی شاهد بروز پدیده مقاومت دیفرانسیلی منفی (NDR) هستیم. ناحیه NDR می تواند برای طراحی سوئیچ ‎های قابل کنترل مورد استفاده قرار گیرد. مجدداً با افزایش ولتاژ شاهد تکرار متناوب این نواحی هستیم. بیشترین جریان از توالی CG-20 bp در دمای اتاق (300 K) عبور می‎کند و با افزایش دما جریان عبوری از توالی کاهش می‎یابد. نتیجه ‏گیری: تنش مکانیکی و تابش نور می‎توانند از عوامل تاثیرگذار بر ترابرد الکتریکی یک سیستم زیستی بر‎مبنای DNA باشد. می‎توان گفت با تنظیم شدت و فرکانس نیروی اعمالی و نور تابشی می‎توان جریان عبوری را کنترل کرد که در طراحی ابزارهای پیزوفوتوترونیکی کاربرد دارد. ابزارهای پیزوفوتوترونیکی، یکی از اجزای اصلی آشکارسازها و حسگرهای زیستی هستند که می‎توانند در تشخیص بیماری‎ها و علل آنها نقش بسزایی داشته باشند.

در این مقاله مشخصه جریان - ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان - ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی (FDTD) و در حالتی که تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد روش ماتریس انتقال (TMM) و روش تفاضل متناهی حوزه زمانی به کار برده شده است. نتایج حاصل نشان می دهند که حضور تابش الکترومغناطیسی باعث می شود تا حالت های تشدید فرعی دیگری روی منحنی ضریب عبور ظاهر شوند که به فاصله ħω از حالت تشدید اصلی (بدون حضور تابش الکترومغناطیسی) و از یکدیگر قرار دارند. حضور تابش الکترومغناطیسی باعث می شود تا همچنین روی منحنی مشخصه جریان - ولتاژ این قطعه، علاوه بر قله اصلی قله های فرعی دیگری ظاهر شوند که به فاصله ħω از قله اصلی قرار دارند. تحت تابش الکترومغناطیسی تعداد قله های موجود روی منحنی مشخصه جریان - ولتاژ از تعداد قله های موجود روی منحنی ضریب عبور کمتر است که به دلیل این است که مشخصه جریان - ولتاژ، حاصل انتگرالگیری روی انرژی الکترون ها است، بنابراین قله های تیز و با ارتفاع کم روی منحنی ضریب عبور در مشخصه جریان - ولتاژ ظاهر نمی شوند.

مقدمه: ویژگی های اپتوالکترونیکی مواد زیستی از زمینه های مطالعاتی نوظهور در حال پیشرفت است. در طی سال های متمادی، DNA به دلیل اینکه نسبت به جریان بار و اسپین خاصیت رسانایی از خود نشان داده است، در ساختارهای نانوالکترونیک مورد توجه قرار گرفته است. روش بررسی: در این کار ما سعی کرده ایم از DNA به عنوان یک مولکول زیستی برای طراحی یک سویچ اپتیکی و بررسی خواص اپتیکی غیرخطی استفاده کنیم. در این راستا از توالی طبیعی ژنوم ویروس دلتای هپاتیت استفاده شده است تا بتوان از خاصیت سازگاری با بدن انسان بهره برد. در این مطالعه از مدل PBD به انضمام مدل نردبانیCL برای بررسی سیستم با استفاده از رهیافت آشوب استفاده کرده ایم. یافته ها: سری زمانی جریان الکتریکی عبوری نشان دهنده ی رفتار غیر خطی توالی ویروس می باشد. همچنین با بررسی جریان بر حسب دامنه ی نور فرودی، محدوده هایی که در آن سیستم نسبت به جریان فرودی حساسیت بالایی دارد، مشخص می شود و با مطالعه ی نمودار مشخصه ی جریان-ولتاژ می توان محدوه ای که در آن پدیده ی اهمی و مقاومت دیفرانسیلی منفی آشکار می شود را مشخص کرد. همچنین محدوده ی دمایی که در آن سیستم رفتار بهینه ای از خود به نمایش می گذارد، مشخص می شود. نتیجه گیری: با تغییر فرکانس و دامنه ی نور فرودی پاسخ الکتریکی زنجیره ی DNA به تابش نور بررسی شده است. در مقدار دامنه ی نور و به ترتیب شاهد عبور بیشترین و کمترین جریان الکتریکی از سیستم هستیم. سری زمانی جریان عبوری از DNA می تواند رفتار این سیستم با گذر زمان را نشان دهد که با افزایش زمان اندازه گیری، شاهد رفتارغیرخطی سیستم خواهیم بود. با افزایش دمای محیط در حالت کلی شاهد سیر نزولی جریان عبوری هستیم تا جایی که در دمای ذوب (K 355) کمترین جریان از سیستم عبور می کند و تقریباً می توان گفت سوییچ در حالت خاموش قرار می گیرد. از سوی دیگر، نمودار مشخصه ی I-V مناطق شبه اهمی و NDR را نشان می دهد که عرض این نواحی در محدوده های ولتاژ متفاوت تغییر می کند.

در این مقاله مشخصه های تشدید تونل زنی (ضریب عبور، چگالی جریان و مقاومت دیفرانسیل منفی) از چاه های کوانتومی دوگانه مثلثی Alx Ga1-x As / Ga As بررسی شده است. برای حل معادله مستقل از زمان شرودینگر در ساختارهای چاه مثلثی از تابع ایری استفاده شده است. به طور اساسی، عبارت های دقیق ضرایب بازتاب وعبور قبل و بعد از اعمال میدان الکتریکی خارجی برای دو چاه کوانتومی مثلثی متقارن بر اساس تقریب جرم موثر به عنوان تابعی از پارامترهای ساختار شامل پهنای چاه، پهنای سد، عمق چاه و ولتاژ اعمال شده به دست آمده اند. نتایج نشان می دهند که یک رفتار مقاومت دیفرانسیلی منفی در این گونه چاه های کوانتومی دیده می شود.

مکان مناسب برای احداث رصدخانه ملی ایران کجاست؟ در این مقاله بخشی از فعالیتهای انجام شده برای یافتن این مکان مناسب گزارش می گردد. تاکید ما در این گزارش بر نحوه اندازه گیری دید آسمان مناطق مورد نظر است. دستگاه اندازه گیری پارامتر «دید نجومی» یعنی «دیدسنج نجومی دیفرانسیلی» معرفی و نحوه تحلیل داده های ثبت شده توسط این دستگاه ارایه می شود.